芯片制造早已不只是拼制程微缩，系统集成同样关键。HBM、3DIC、Chiplet这类方案把多颗芯片与多种薄膜堆叠在一起，任意一层厚度偏差都会被叠加放大。薄膜厚度测量看似基础工序，实则是决定先进封装堆叠良率的核心环节。目录引言：为什么先进封装对薄膜测量提出了全新要求先进封装中的关键薄膜结构各结构测量的核心难点小光斑测量：从“可选配置”升级为“必选条件”先进封装vs传统封装：测量需求的关键差异光谱反射法在先进封装中的核心优势实操建议与常见问题排查总结与延伸阅读1引言：为什么先进封...

图1：Zeta-20白光共聚焦轮廓仪对硅透镜进行曲率半径与面型测量本文导读·一、硅透镜曲率半径：光耦合效率的几何基石·二、模压工艺中的曲率半径控制挑战·三、传统测量方法的三大局限·四、Zeta-20白光共聚焦轮廓仪：非接触式3D面型测量方案·五、应用场景：从单透镜到晶圆级阵列的全面测量·六、方案总结与常见问题在AI算力驱动的高速光通信时代，800G/1.6T光模块对光学器件的精度要求达到了一种高度。硅透镜（SiliconLens）作为实现激光器与光纤之间高效光耦合的核心无源器...

本文导读（目录）一、硅透镜：高速光模块的核心光学元件二、纳米压印工艺中的压印胶残留：质量控制的隐形变量三、传统压印胶残留测量方法的三大短板四、Filmetrics光学膜厚仪：无损、快速、精准的测量方案五、应用场景：从残胶监控到清洗效果量化六、方案总结与常见问题在AI算力需求爆发式增长的驱动下，全球光通信产业正经历着从800G向1.6T乃至3.2T光模块的速率跃迁。作为光模块中实现光束准直、耦合与聚焦的核心无源器件，硅透镜（SiliconLens）的需求量急剧攀升。炬光科技、腾...

本文导读•一、VCESEL与氧化孔径：光通信核心器件的工艺命脉•二、氧化孔径台阶：决定VCESEL性能的关键参数•三、传统氧化孔径测量方法的三大短板•四、Zeta-20白光共聚焦轮廓仪：非接触式3D测量方案•五、应用场景：从台阶高度到缺陷检测的覆盖•六、方案总结与常见问题磷化铟（InP）是制造高速光模块中EML激光器、PIN探测器等核心光芯片的基础衬底材料。在InP基光芯片中，垂直腔面发射激光器（VCSEL，又称VCESEL）是短距离光通信和3D传感领域的关键器件。在VCSE...

本文导读一、氧化硅与光刻胶：磷化铟芯片制造中的两道关键膜层二、厚度偏差：从工艺失控到器件失效的连锁反应三、传统厚度测量方法的三大短板四、Filmetrics光学膜厚仪：无损、快速、精准的测量方案五、实战案例：头部光芯片企业的选择六、方案总结与常见问题磷化铟（InP）是制造高速光模块中EML激光器、PIN探测器等核心光芯片的基础衬底材料。在InP光芯片的制造流程中，氧化硅（SiO₂）钝化层和光刻胶是两道至关重要的薄膜——前者保护芯片、提供电学绝缘，后者定义图形、决定...

本文导读一、端面AR/HR镀膜：光芯片性能的"守门人"二、1%的反射率偏差，10%的光功率损失三、传统端面反射率测量方法的三大局限四、FilmetricsF20：为光通信波段优化的反射率测量方案五、实战案例：头部光芯片企业的选择六、方案总结与常见问题磷化铟（InP）是制造高速光模块中EML激光器、PIN探测器等核心光芯片的基础衬底材料。在InP基激光器的制造流程中，端面镀膜是决定芯片最终输出性能的最后一道关键工序。具体来说，端面镀膜是应用在激光器芯片的两个端面上的...