本文导读（目录）一、硅透镜：高速光模块的核心光学元件二、纳米压印工艺中的压印胶残留：质量控制的隐形变量三、传统压印胶残留测量方法的三大短板四、Filmetrics光学膜厚仪：无损、快速、精准的测量方案五、应用场景：从残胶监控到清洗效果量化六、方案总结与常见问题在AI算力需求爆发式增长的驱动下，全球光通信产业正经历着从800G向1.6T乃至3.2T光模块的速率跃迁。作为光模块中实现光束准直、耦合与聚焦的核心无源器件，硅透镜（SiliconLens）的需求量急剧攀升。炬光科技、腾...

本文导读•一、VCESEL与氧化孔径：光通信核心器件的工艺命脉•二、氧化孔径台阶：决定VCESEL性能的关键参数•三、传统氧化孔径测量方法的三大短板•四、Zeta-20白光共聚焦轮廓仪：非接触式3D测量方案•五、应用场景：从台阶高度到缺陷检测的覆盖•六、方案总结与常见问题磷化铟（InP）是制造高速光模块中EML激光器、PIN探测器等核心光芯片的基础衬底材料。在InP基光芯片中，垂直腔面发射激光器（VCSEL，又称VCESEL）是短距离光通信和3D传感领域的关键器件。在VCSE...

本文导读一、氧化硅与光刻胶：磷化铟芯片制造中的两道关键膜层二、厚度偏差：从工艺失控到器件失效的连锁反应三、传统厚度测量方法的三大短板四、Filmetrics光学膜厚仪：无损、快速、精准的测量方案五、实战案例：头部光芯片企业的选择六、方案总结与常见问题磷化铟（InP）是制造高速光模块中EML激光器、PIN探测器等核心光芯片的基础衬底材料。在InP光芯片的制造流程中，氧化硅（SiO₂）钝化层和光刻胶是两道至关重要的薄膜——前者保护芯片、提供电学绝缘，后者定义图形、决定...

本文导读一、端面AR/HR镀膜：光芯片性能的"守门人"二、1%的反射率偏差，10%的光功率损失三、传统端面反射率测量方法的三大局限四、FilmetricsF20：为光通信波段优化的反射率测量方案五、实战案例：头部光芯片企业的选择六、方案总结与常见问题磷化铟（InP）是制造高速光模块中EML激光器、PIN探测器等核心光芯片的基础衬底材料。在InP基激光器的制造流程中，端面镀膜是决定芯片最终输出性能的最后一道关键工序。具体来说，端面镀膜是应用在激光器芯片的两个端面上的...

本文导读l一、衬底减薄：InP光芯片制造的关键工序l二、InP衬底减薄面临的两大挑战l三、FilmetricsF50：全晶圆自动Mapping测量方案l四、实战案例：头部企业如何提升衬底减薄良率l五、方案总结与常见问题磷化铟光芯片制造涉及衬底制备、外延生长、光刻、刻蚀、镀膜、金属化、封装等数十道工序。其中，衬底减薄是承上启下的关键环节，它将生长完成的晶圆从原始厚度减薄到目标厚度，为后续解理和封装做准备。对于InP基EML激光器、PIN光电探测器等核心光芯片而言，减薄后的衬底厚...

本文摘要："自然氧化层厚度通常在1-2nm，但其不均匀性可导致接触电阻增加3-9倍、外延缺陷率上升。优尼康科技提供的FilmSenseFS-RT300激光椭偏仪以0.00017nm的亚埃级重复性精度，覆盖从硅片来料检测到等离子体活化键合的全场景薄膜测量需求，2.5分钟即可完成300mm晶圆的49点全面扫描。优尼康科技，您值得信赖的精密薄膜测量合作伙伴。"自然氧化层是硅片暴露于大气或含氧环境中自发形成的超薄氧化薄膜，厚度仅1~2纳米，却对半导体器件的性能与良率有着不成比例的重大...