一、简介
J.A. Woollam 公司成立于 1987 年,由内布拉斯加大学林肯分校的科研成果衍生而来,长期专注于光谱椭偏测量技术的研发与制造,已在全球安装超过 2000 套椭偏仪系统,广泛应用于半导体、显示、光伏、光学镀膜与新材料等领域的科研与生产。优尼康科技代理该品牌椭偏仪,提供选型咨询、安装培训、售后技术支持与样品测试协助。
M-2000 面向薄膜表征的广泛需求,将光学设计、宽光谱范围与快速数据采集结合在一起。核心是集成高速 CCD 检测的旋转补偿椭偏技术(RCE,Rotating Compensator Ellipsometer),可在一次采集中同步获取数百个波长的椭偏数据。
模块化光学设计是 M-2000 的主要特点,同一套光学系统既可直接连接到镀膜腔室做原位监测,也可配置在各类台式基座上做离线测量。系统采集速率为每秒 20 次,全光谱典型测量时间 0.5 至 5 秒,取决于所需的信噪比。
测量范围覆盖亚纳米至数十微米的透明薄膜,光学常数可测介电质、有机物、半导体与金属。将椭偏数据与透射强度数据联合分析,还可表征厚度小于 50nm 的金属薄膜。

二、技术特点
RCE 旋转补偿技术:旋转补偿器配合高速 CCD 检测,在一次采集中同时获得全部波长的偏振信息,兼顾准确度与灵敏度。
快速光谱探测:采集速率每秒 20 次,全光谱典型测量时间 0.5 至 5 秒,适合批量检测与实时过程监测。
宽光谱覆盖:紫外至近红外同步采集 700 个以上波长点,D 型配置覆盖 193nm、248nm、365nm 等关键光刻波长。
灵活的系统配置:模块化光学设计,既可直接接到镀膜腔室做原位测量,也可装在不同台式基座上做离线检测。
亚单层灵敏度:对表面材料的厚度变化具备亚纳米级灵敏度,可用于超薄膜与界面层的表征。
多材料适用:介电质、有机物、半导体、金属均可测定光学常数,并支持成分、结晶度与导电性等衍生分析。
变温与液体附件:可选 Linkam 温度台 -70 至 600℃,低温保持器与加热台 4.2K 至 1000℃;液体测量可选标准液体池、可加热液体池与电化学池。
型号配置
V 型 370-1000 nm,390 个波长点,卤素灯光源;U 型 245-1000 nm,470 个波长点,氘灯加卤素灯;X 型 245-1000 nm,470 个波长点,氙灯光源,光斑可小至 120μm;X-210 型 210-1000 nm,485 个波长点;D 型 193-1000 nm,500 个波长点,覆盖 193 / 248 / 365nm 关键光刻波长;红外扩展 I 1005-1690 nm,额外 190 个波长点,可在任一配置基础上加装。
三、应用
单层膜、多层堆叠膜、渐变折射率膜与液体界面体系,测量薄膜厚度、折射率 n、消光系数 k、孔隙率与光学常数。
半导体薄膜:栅介质、高 k 介质、SOI、SiGe 等膜层的厚度与光学常数表征,D 型配置覆盖 193nm 关键光刻波长,典型对象 SiO2、SiNx、HfO2、多晶硅、光刻胶。
化合物半导体:GaN、InP、CdTe 等材料的膜厚与光学色散测定,建立组分与光学常数的对应关系。
光学镀膜:增透膜、高反膜、滤光片的膜厚与 n、k 测定,判断镀膜性能是否达到设计值,典型对象 TiO2、SiO2、Ta2O5、MgF2。
显示面板:ITO 透明电极、有机功能层、液晶层的厚度与光学性质表征,支持显示工艺评价。
全吸收薄膜:将椭偏数据与透射强度数据联合分析,表征金属与石墨烯等吸收型薄膜。
光伏薄膜:减反射膜、吸收层的厚度与光学常数测定,典型对象 SiNx 减反射膜、钙钛矿、CIGS、CdTe。
液体界面研究:配合液体池与电化学池,对固液界面的吸附与电化学过程做原位表征。
原位工艺监测:光学系统直接接入工艺腔室,对薄膜生长做实时监控与工艺反馈,适用 MBE、ALD、PECVD、MOCVD、溅射、电子束蒸发等工艺。
大面积面板 Mapping:可配 300mm 自动 Mapping 台,并支持 1.1 × 1.3m 面板的离线与在线扫描。
本地化服务与技术支持:该机型由 J.A. Woollam 制造,优尼康科技代理并提供选型咨询、安装培训与售后技术支持。如需评估样品适用性,可寄送样品或由工程师协助测试,确认测量方案后再行采购。
四、指标参数
| 仪器类型 | 旋转补偿式光谱椭偏仪(RCE) |
| 数据采集速率 | 每秒 20 次 |
| 光谱范围 | 193-1690 nm(视配置) |
| 单次同步波长数 | 700 个以上 |
| 全光谱测量时间 | 0.5-5 秒(视信噪比要求) |
| 固定入射角 | 65° |
| 水平自动变角 | 45°-90° |
| 垂直自动变角 | 20°-90° |
| 膜厚测量范围 | 亚纳米至数十微米(透明薄膜) |
| 聚焦光斑 | X 型可小至 120μm;D/U 型 300μm |
| 变温测量 | Linkam 温度台 -70 至 600℃;低温/高温台 4.2K 至 1000℃ |
| 软件 | CompleteEASE(含孔隙率分析模块) |
| 电源 | 100 / 110 / 220 / 240 VAC,50-60 Hz |
| 原位适用工艺 | MBE、ALD、PECVD、MOCVD、溅射、电子束蒸发等 |







